L64777
产品描述
参数
包装:Tube;零件状态:Active;FET类型:N-Channel;技术:MOSFETMetalOxide;漏源电压(Vdss):200V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):130ATc;驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V;不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V@250µA;不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值):241nC@10V;不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):10720pF@50V;Vgs(最大值):±30V;FET功能:-;功率耗散(最大值):520WTc;不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):9.7mOhm@81A,10V;工作温度:-55°C~175°CTJ;安装类型:ThroughHole;供应商器件封装:TO-247AC;封装外壳:TO-247-3;标准包装数:25;
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