瑞萨采取三大措施扩大销售额

发布时间:2010年10月15

  瑞萨电子10月7日在东京总部面向新闻媒体介绍了化合物半导体业务的方针。合并前,该业务由原NEC电子经营,原瑞萨科技并未涉足。因此没有需要消除的重复业务。

  瑞萨以“微控制器”、“SoC”、“模拟&功率半导体”三项业务为主力业务。化合物半导体业务由模拟&功率半导体业务本部的化合物元件业务部负责。该业务部的销售额约占模拟&功率半导体业务本部整体的1/6。

  出席发布会的细野泰宏(模拟&功率半导体业务本部化合物元件业务部长)表示,2010年度化合物半导体的全球市场规模为4130亿日元(该公司的推断)。预计今后将以8%/年的速度增长,到2012年度将达到4795亿日元。在市场以8%/年的速度增长的情况下,“瑞萨的化合物半导体业务将以11%/年的速度增长”。

  目前,该公司在化合物半导体中的高频开关IC和GaAs低噪声FET领域的市场份额位居第一,在光存储和光电耦合器领域的市场份额位居第二。不过,在市场整体的位置为第四位。其原因是,瑞萨没有投产在化合物半导体市场上占很大比例的功率放大器。“要想成为顶级供应商,必须经营形成市场的所有主要产品”(执行董事兼模拟&功率半导体业务本部长宫路吉朗)。

  介绍了三项措施

  为了以高于市场均速的速度扩大销售额,并成为顶级供应商,瑞萨主要将采取以下三项措施。(1)2011年度将目前份额为第二位的光电耦合器提高至首位。(2)保持目前份额为首位的高频开关IC和GaAs低噪声FET的市场地位。(3)新涉足GaN元件业务。尤其要致力于GaN功率放大器业务,向市场提供主要产品。

  关于(1)的光电耦合器业务的强化,生产方面,将把2012年度的产能增至2009年度Q4的约2倍。销售方面,计划强化微控制器和IGBT的成套销售,将海外的技术支持人员增加一倍。

  关于(2)的市场份额首位的产品,介绍了强化高频开关IC的措施。例如,通过优化低电阻布线形成技术和外延构造,降低CR积,提高其作为手机天线开关的特性。预定2012年度将CR积较2010年度降低25%。另外,封装方面,通过实现WL-BGA化,与采用Islandless TSON相比面积减至1/4,厚度减至1/2,将实现小型化。

  关于(3)的GaN元件,通过使用Si底板,将与在使用SiC底板的GaN方面领先的其他公司拉开差距。细野以Si底板比SiC底板更便宜、无需用于SiC底板的设备、以及Si底板可使用6英寸晶圆,因此与3~4英寸的SiC底板相比一次可安装更多元件等为例,介绍了在成本方面的优势。

  具体产品方面,首先投放CATV用功率放大器。将从2010年度内开始样品供货。瑞萨表示,计划2011年度内开始样品供货微波频段用中输出功率FET。另外,之后还将涉足毫米波频段用产品。

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