三星电子推出更高性能20纳米级NAND闪存存储器

发布时间:2010年05月18

  近日,三星电子(SAMSUNG)有限公司宣布推出业界首个20纳米级(nm)NAND芯片,用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32Gb MLC NAND产品采用尖端技术,扩展三星电子公司的存储器卡解决方案,用于智能手机、高端IT应用和高性能存储器卡。

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  与30纳米级MLC NAND相比,三星电子的20纳米级MLC NAND提高50%的生产水平。基于20纳米级、8GB和更高密度、SD卡的写入性能比30纳米级 NAND提高30%,器件提供10级额定速度(读取速度为20MB/s,写入速度为10MB/s)。通过采用尖端工艺、设计和控制器技术,与30纳米级NAND相比,三星电子还获得安全可靠的性能。


  用20纳米级的存储器卡将提供4GB-64GB的密度。三星电子及时推出了其高性能优质NAND,支持高密度智能手机、高端IT应用和高性能存储器卡的不断增长的存储器要求。



  来源:人生如梦
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