恒忆推出新相变存储器大幅提升写入性能和耐写次数

发布时间:2010年05月10

  恒忆(Numonyx)作为相变存储技术(PCM)的创新者,宣布正式推出全新系列相变存储器。该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术,具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性,适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备。目前该产品已经量产,并向市场供货。

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  这种新的嵌入式存储器融闪存、RAM和EEPROM三大存储器的优点于一身,一颗存储器芯片即可实现很多新功能。今天,新产品发布采用了新品牌Numonyx Omneo PCM,其写入速度有望达到现有闪存的300倍,耐写次数达到10倍*。


  “自闪存于1988年问世至今,业内还从未见过一个如此崭新的高密度存储技术,”恒忆副总裁兼嵌入式系统业务部总经理Glen Hawk表示,“今天,对于代码存储和执行,以及数据存储应用,设计工程师必须使用不同类型的存储器。现在,随着恒忆的Omneo相变存储器问世,设计人员将获得一个简单的、单一存储器解决方案。”

  今天推出的新产品包括支持串行外设接口(SPI)的存储器(Omneo P5Q PCM)和支持并行NOR接口的存储器(Omneo P8P PCM)。两种接口产品都充利用新的PCM的技术优势,同时兼容工业标准的串行接口和并行接口。


  Numonyx Omneo P5Q PCM

  Omneo P5Q PCM是一款兼容高速SPI接口的90nm相变存储器,集串行NOR闪存和EEPROM两大存储器的技术优点于一身,具有字节修改功能以及更高的写入速度和耐写性能。

  新存储器支持字节修改功能,执行写操作无需再擦除大数据区块,从而使数据处理和软件编程变得更容易。覆写即“无擦除”功能让工程师和设计人员能够简化软件开发任务,提升系统性能,将存储器写时间缩短到闪存的三百分之一。新产品Omneo P5Q的耐写次数达到100万次,可写数据的量次是闪存的10倍。

  Numonyx Omneo P8P PCM

  Numonyx P8P PCM是恒忆推出的第二款90nm128Mb并口相变存储器。第一款是在2008年12月推出的,支持10万次的耐写次数。第二款产品将这个参数提高到100万次。

  现在两款产品均在量产。

  Numonyx Omneo演绎“全能,全新”

  恒忆还发布了公司为嵌入式应用相变存储器创建的新品牌:Numonyx Omneo PCM。采用产品专用品牌方法是为了更效地支持公司的产品战略:针对特定的客户应用市场需求,研发量身订制的存储器解决方案。

  “因为相变存储器的特性不同,能够解决不同细分市场的独特难题,所以恒忆决定用差异化的品牌战略宣传新产品的独特性,” 恒忆主管公司市场部的高级总监Raymond Solone表示,“相变存储器技术带给客户的新功能和优势,我们谋求直接将品牌战略与PCM为实际应用领域带来的价值,以及利用这项技术优势的细分市场紧密联系起来。PCM是一项超乎寻常的存储器技术。”

  Omneo 品牌代表相变存储器适用于嵌入式设计领域所有应用的内在能力(“omni”)和新一类存储器(“neo”)。从消费电子到工业应用,Omneo系列相变存储器的研制目标是实现嵌入式存储器系统创新的设计方法,提供长远的制程升级能力和产品可靠性。

  * 恒忆Omneo128Mb P5Q相变存储器和恒忆Forte128Mb N25Q串口闪存对比



  来源:y123456
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